Skylake non K overclock

[enerasu]

Sveiki, butu idomu, ar yra tokiu kurie daro/dare/bande non K skylake OC. Pasidalinkite savo patirtimi,koks CPU,koks bclk, kokia motinine, kokie ram,koks ram daznis, kokios itampos, max temperaturos, max OC, 24/7 OC ir t.t.

As pats naudoju 24/7:
CPU: Intel Confidential i5 6600 4.5 GHZ
BCLK: 136.46 (dariau tiek kad butu ~4.5)
Motinine: MSI Z170M Mortar
Ram: HyperX Savage 2133( padarius OC 2002)
CPU Voltage: Biose 1.285 net cpu-z rodo 1.344
Temperaturos: Prime95 nesvarbu kuri testa darau Small FFT ar kitus temperaturos nelipa auksciau 50C
Cooleris: Thermaltake Nic C5 Untouchable
MAX OC: 4.72 Ghz voltage biose 1.35 bet cpu-z 1.45

[BC00]

Kol kas neteko, bet galbūt pasiseks paspirgint Celeron, Pentium arba i3

[IFeelYou]

Na man asmeniškai atrodo kad 1.344 kiek per didelis voltažas kasdieniam naudojimui (tikėčiau CPU-Z parodymais). Keista kad temperatūros tokios žemos. Kuo matuoji temperatūrą?

[BC00]

Su Skylake įdomiai yra, nes Haswell saugus limitas buvo ~1.3 v. Pagal visą logiką, Skylake saugi riba (kad silicis stipriai nedegraduotų) turėtų būti mažesnė, geriausiu atveju panaši. Dabar gi IT pasaulyje nurodoma, kad Skylake limitas gali siekti ir 1.35-1.4 v. Planuojant ilgokai turėti tą patį CPU tiek v nedėčiau, ypač jei CPU pastoviai apkraunamas...

[IFeelYou]

Na čia daug nuomonių yra, laikinai sutinku kad ir 1.35v yra pakenčiama, bet bent jau aš asmeniškai niekada virš 1.25v nelaikyčiau nei Haswell nei Skylake 24/7 dėl šventos ramybės.

Dėl silicio degradacijos, tai man atrodo kad ją lemia ne voltažas, o temperatūros (dėl didesnės temperatūros padidėja rezistentiškumas), žinoma voltažas tiesiogiai susijęs su temperatūra, bet žmogus sako kad pas jį 50 laipsnių tai net nežinau... Magiškas aušintuvas

[BC00]

Silicis degraduoja tiek nuo didelės įtampos, tiek nuo aukštų temperatūrų, bet tiesiogiai įtampa yra didesnis priešas. Netemps Skylake (14 nm) ilgai ant 1.5 v, kad ir azotu jį bešaldytum, kai Sandy Bridge (32 nm) metų metus dirba su 1.5 v be stebuklingų aušinimo sistemų.

[enerasu]

Na intel yra patys pasake kad iki 1.42 voltage viskas tvarkoje su skylake.
Temperaturas matuoju su msi command center, nes su non k oc biosais nei core temp nei hwmonitor rodo 100c, o msi command center rodo bendra cpu temperatura o ne core temperatura, patikrinus su paprastu bios, core uz ja keliais laipsniais aukstesne.
O jei yra netikinciu galesiu ikelt foto su full load 49-50c

[IFeelYou]

Silicis degraduoja tiek nuo didelės įtampos, tiek nuo aukštų temperatūrų, bet tiesiogiai įtampa yra didesnis priešas. Netemps Skylake (14 nm) ilgai ant 1.5 v, kad ir azotu jį bešaldytum, kai Sandy Bridge (32 nm) metų metus dirba su 1.5 v be stebuklingų aušinimo sistemų.

Gal gali paaiškinti (fizikine prasme) kaip voltažas galėtų įtakoti degradaciją? Tranzistoriai degraduot (pažeidžiamos nanojungtys tarp jų) gali tik dėl didelės temperatūros, voltažas tiesiog ją padidina. Forumuose daug kas mini voltažą, kadangi jis tiesiogiai susijęs su didele temperatūra. Daugiau galima pasiskaityti čia: http://www.csl.mete.metu.edu.tr/Electro ... n/emig.htm

Intel rekomenduojama TCase temperatūra yra ta riba, nuo kurios didėjimo teoriškai turėtų pradėti mažėti procesoriaus tarnavimo laikas, žinoma iki TjMax tai yra visiškai saugi riba, tačiau procesoriaus tarnavimo laikas turėtų nežymiai mažėti, t.y. didėti voltažas reikalingas pasiekti tam tikrą dažnį.

[IFeelYou]

Na intel yra patys pasake kad iki 1.42 voltage viskas tvarkoje su skylake.
Temperaturas matuoju su msi command center, nes su non k oc biosais nei core temp nei hwmonitor rodo 100c, o msi command center rodo bendra cpu temperatura o ne core temperatura, patikrinus su paprastu bios, core uz ja keliais laipsniais aukstesne.
O jei yra netikinciu galesiu ikelt foto su full load 49-50c

Parodyk man šaltinį kur Intel pasakė kad 1.42v yra saugi riba?

Temperatūroms matuoti yra tik Real Temp (optimizuota Intel CPU) ir Core Temp. Visos kitos programos yra visiškai netikslios, ir su milžiniškom paklaidom. Tas jau ne kartą buvo aprašyta įvairiose svetainėse. Bendra temperatūra nieko nereiškia, esminė temperatūra yra aukščiausia vieno core temperatūra. T.y. jeigu pas tave 4 branduoliai, vienintelė temperatūra kuri tau turėtų rūpėti yra pati aukščiausia kažkurio core (IHS) temperatūra, kuri yra maždaug 5 laipsniais aukštesnė nei bendra. Jeigu pasak Intel tavo procesoriaus TjMax yra 105, tai pasiekus tokią Core temperatūrą procesorius pradės throtlinti. Taip pat kiekvienam Intel CPU yra integruota komanda, kuri TjMax viršijus ±20 laipsnių išjungs procesorių visiškai taip apsaugant nuo sudegimo.

[BC00]

Silicis degraduoja tiek nuo didelės įtampos, tiek nuo aukštų temperatūrų, bet tiesiogiai įtampa yra didesnis priešas. Netemps Skylake (14 nm) ilgai ant 1.5 v, kad ir azotu jį bešaldytum, kai Sandy Bridge (32 nm) metų metus dirba su 1.5 v be stebuklingų aušinimo sistemų.

Gal gali paaiškinti (fizikine prasme) kaip voltažas galėtų įtakoti degradaciją? Tranzistoriai degraduot (pažeidžiamos nanojungtys tarp jų) gali tik dėl didelės temperatūros, voltažas tiesiog ją padidina. Forumuose daug kas mini voltažą, kadangi jis tiesiogiai susijęs su didele temperatūra. Daugiau galima pasiskaityti čia: http://www.csl.mete.metu.edu.tr/Electro ... n/emig.htm

Intel rekomenduojama TCase temperatūra yra ta riba, nuo kurios didėjimo teoriškai turėtų pradėti mažėti procesoriaus tarnavimo laikas, žinoma iki TjMax tai yra visiškai saugi riba, tačiau procesoriaus tarnavimo laikas turėtų nežymiai mažėti, t.y. didėti voltažas reikalingas pasiekti tam tikrą dažnį.

Aš fiziką baigiau 9-oj klasėj, manau, šitas dėdė geriau paaiškins
https://www.youtube.com/watch?v=rtI5wRyHpTg
"So, as you might now know (after watching the video), electrons in one end of the doped silicon (source) aren't supposed to be able to reach the other end (drain) under 'off' conditions. Under positive voltage (which is your CPU voltage), electrons accumulate under the silicon dioxide (gate) and the switch is closed (turned on). Now, due to the nature of quantum mechanics, electrons are able to exhibit a feature called 'quantum tunnelling', i.e., move through a barrier in a non-Newtonian fashion (if your hand could quantum tunnel, it could pass through a door). What CPU manufacturers do is dope the silicon in such a way that the energy barrier required for an electron to tunnel from the source to the drain is HUGE, so under normal circumstances, the electron stays where it is supposed to. An excessive voltage gives electrons more energy, therefore they have a higher probability to overcome the energy barrier, causing the switch to close (turn on) when it is supposed to stay open (turned off). Over time, a sort of path is formed making it easier for electrons to tunnel through (silicon degradation), ultimately leading to CPU failure."

[IFeelYou]

Šitas dėdė viską aiškina labai sudėtingai, tačiau net ir iš jo aiškinimų aišku viena: didesnė įtampa įkaitina katodą ir prasideda terminė elektronų emisija ir vyksta paviršinis atomų judėjimas (arba migracija). Tai reiškia kad kuo didesnė įtampa, tuo didesnė temperatūra ir tuo didesnė elektronų migracija

Aš čia nesiginčyju, aš tiesiog diskutuoju. Man pačiam įdomu, tiesiog iš fizikos žinau kad elektronų migraciją skatina temperatūra. Vieno fiziko prezentacijoje (lyg ir jo doktorantūros) buvo parašyta kad elektromigracija priklauso tik nuo pačios medžiagos savybių ir temperatūros.

Bet aišku būtų gerai kad koks čia esantis fizikas paaiškintų viską tiksliai, nes aš irgi baigiau fiziką 9 klasėje