Micron dėka turėsime didesnės talpos atminties modulius

DRAM lustų gamintoja Micron pristatė pirmąjį DDR3 atminties lustą su 2Gb tankumu, kuris leis gaminti 8GB bei 16GB atminties modulius serveriams bei 4GB atminties modulius staliniams bei nešiojamiesiems kompiuteriams.

Naujieji 2Gb lustai bus gaminami pagal 78 nm technologinį procesą ir su standartine 1,5V įtampa galės veikti 1333MHz efektyviu dažniu. RAM modulių gamintojai su šiais lustais galės gaminti ir aukštesnio dažnio atmintį, pakeldami įtampą virš 1.5V.

Sumažinus atminties įtampą nuo 1.8V iki 1.5V DDR3 atmintis sutaupo 20-30 procentų sunaudojamos atminties, lyginant su DDR2. Micron teigimu, naudojant mažiau komponentų atminties modulyje suvartojamas energijos kiekis gali sumažėti 40-50 procentų.

Pirmieji nauji atminties lustai iš Micron turėtų būti parduodami pirmame 2008 metų ketvirtyje.