Nuotekio srovė – suvaldyta ir pamiršta?

Didelio k-dielektrikų atėjimas į šiolaikinių puslaidininkinių grandžių gamybą žada išspręsti daugelio dabartinių mikroshemų gamyboje naudojamų procesų rykštę – nuotekio srovę.

Puslaidininkinių grandžių kaitimas dėl pernelyg didelių nuotekio srovių tranzistorių užtūruose yra pagrindinė problema ieškant galimybių gaminti mikroschemas mažesnio nei 45 nanometrų detalumo. Anot tyrėjų iš Klemsono universiteto, techninis procesas su milijoną kartų mažesnėmis nuotekio srovėmis leis pasiekti mažesnius nei 45 nanometrų grandinių matmenis. Užpatentuotas greito terminio atominio sluoksnio užgarinimo procesas leido pasiekti efektyvų užtūros sluoksnį apie 0.39 nm ir srovės tankį 10^(-12) A/cm^2.

Palyginimui, ties 90 nanometrų procesu, parazitinė nuotekos srovė buvo atsakinga už 30% mikroschemos bendros galios, ties 65 nanometrais virš 50% mikrochemos galios išvaistoma dėl parazitinių nuotekos srovių. Ties 45 nanometrais, korporacija Intel buvo priverta panaudoti aukštų k-dielektrikus bei metalinės intarpas tranzistoriuje, kadangi sena technologija būtų sąlygojusi 80% į mikroschema paduodamos galios terminį praradimą. Šio metu, Intel 45 nanometrų procesas pasižymi šiek tiek didesniais nuostoliais negu 65 nanometrų procesas.

Parašykite komentarą

Brukalų kiekiui sumažinti šis tinklalapis naudoja Akismet. Sužinokite, kaip apdorojami Jūsų komentarų duomenys.