Samsung kuria naują „Flash“ atmintinę

„Samsung Electronics Co.“ Teigia sukūrę pažangesnę „flash“ atminties mikroschemą kuri leis padidinti duomenų kiekį skaitmeniniuose produktuose kaip muzikos grotuvai.

„Samsung“, didžiausias pasaulio atminties mikroschemų gamintojas atskleidė 64Gb NAND flash atminties mikroschemą pagamintą naudojant 30 nanometrų pločio grandininius elementus. Naudojant šią technologiją ant puslaidininkio mikroschemos galima pagaminti daugiau „elementų, kas leidžia sumažinti energijos reikmes.

Flash atminties mikroschemos naudojamos skaitmeniniuose muzikos įrenginiuose, kamerose, mobiliuosiuose telefonuose. Mikroschemos išlaiko informaciją net kai įrenginys išjungtas.

Samsung taip pat gamina dinaminės laisvosios kreipties atminties (dynamic random access memory) arba DRAM mikroschemas naudojamas personaliniuose kompiuteriuose.

Praeitais metais kompanija pagaminos 32Gb NAND flash atminties mikroschemas pagamintas pagal 40 nanometrų gamybos technologiją.

Kompanija planuoja pradėti 64Gb mikroschemų gamybą 2009m.