Ateityje AMD planuoja DRAM operatyviąją atmintį montuoti tiesiai į procesorių

Paskutinėje AMD rengtoje „Rice Oil and Gas HPC“ konferencijoje kompanija dar kartą koncentravosi į intensyviai vystomo čipletų dizaino privalumus, tačiau internautus labiausiai sudomino skaidrė, pavadinimu „atminties inovacija“. Šioje skaidrėje užsimenama apie ant lusto sluoksniuojamą 3D atmintį. Ši savybė kol kas yra tik kūrimo stadijoje, todėl jos nereikėtų tikėtis artimiausiu metu pasirodysiančiuose AMD produktuose. Novatoriška technologija primena „Intel“ priklausančią „Forveros“ technologiją ir šiai dienai savo principu yra panaši į „Vega“ vaizdo plokštėse sutinkamą HBM2 atmintį bei SSD kaupikliuose išpopuliarėjusią 3D NAND atmintį. Skaidrėje pateikta informacija leidžia tikėtis, kad ateinančių kartų AMD procesoriai ant savo paviršiaus turės tam tikrą kiekį operatyvios atminties. Toks sprendimas leis drastiškai sumažinti DRAM uždelsimą bei padidins jos efektyvumą. Jei trečios kartos „Ryzen“ procesoriai vėl turės problemų su aukšto dažnio DDR4 palaikymu, tokios technologijos vystymas atrodo dar logiškiau.