Elpida pradeda masinę 40nm 2GB talpos DDR3 atminties gamybą

Viena svarbiausių operatyviosios atminties mikroschemų (DRAM) gamintojų Elpida praneša, jog pradeda masiškai gaminti 2GB talpos 1600 MHz DDR3 atminties mikroschemas, naudodama naująjį 40nm technologinį procesą.

Lyginant su senuoju 50nm techprocesu, naujasis padidina gamybos apimtis 44% bei visiškai užtikrina, jog visos SDRAM mikroschemos sugebės veikti 1600 MHz dažniu. Pažangesnis 40nm technologinis procesas leidžia sumažinti darbinę įtampą nuo 1.5V iki 1.2V/1.35V, apkarpant bendras energijos sąnaudas net iki 50%.

Kol kas masinę gamybą Elpida yra numačiusi pradėti tik Hiroshimos fabrike, tačiau 2010-ųjų antrąjį ketvirtį gamyba turėtų prasidėti ir Taivane įsikūrusioje Rexchip kompanijoje. Elpida taip pat neatmeta galimybės, jog 40nm SDRAM produkciją pradės gaminti ir kiti jos partneriai: ProMOS bei Winbond.