Samsung ir Hynix pademonstravo DDR4 operatyviąją atmintį

Vasario 19-23 dienomis vykusioje International Solid-State Circuits (ISSCC) konferencijoje Hynix ir Samsung pademonstravo būsimojo operatyviosios atminties standarto – DDR4 modulių prototipus. Naujo tipo atmintis į stalinius bei serverinius kompiuterius turėtų įsiveržti 2014 metais.

Pasak šaltinio TechEye, prototipinė 38 nm gamybos „Hynix“ DDR4 atmintis dirbo 2400 MHz (2400Mb/s) dažniu bei naudojo 1,2 V įtampą. Tuo tarpu „Samsung“ pademonstravo pažangesniu 30 nm techprocesu pagamintą DDR4 modulį, dirbantį 2133 MHz dažniu ir naudojantį tą pačią 1,2 V įtampą. Nors šie dažniai nieko per labiausiai nestebina, mat juos pasiekia ir dabartinė DDR3 atmintis, verta paminėti, jog dar šiais metais gamybos technologijai pasiekus 20 nm, sulauksime ir 3200 MHz dažnio, masinei gamybai skirtų, DDR4 modulių, kurie taps JEDEC nustatytu standartu. Vis tik didžiausi DDR4 pasiekimai siejami su suvartojamos energijos sumažinimu. Teigiama, kad šioje srityje DDR4 atmintis bus 40 % efektyvesnė.

Nors DDR4 atminties prototipus kol kas pademonstravo tik Pietų Korėjos gamintojai, tikimąsi, kad dar šiais metais savo pavyzdžius pateiks „Elpida“, „Micron“ bei „Nanya“. Kaip ir būdinga naujos kartos DRAM atminčiai, ji nebus suderinama su senos kartos platformomis, todėl, be abejonės, reikės naujos terpės – procesorių su naujais operatyviosios atminties valdiklais bei pagrindinių plokščių, į kurių lizdus tilptų specifiškai išdėstyti DRAM modulių kontaktai.

Konferencijos metu JEDEC taip pat aptarė išmaniuosiuose telefonuose  bei planšetuose naudojamos LPDDR2 (low power DDR 2) atminties pakeitimą į pažangesnę LPDDR3 (low power DDR 3). Nors pastarosios atminties reikalavimai bei išleidimo data nebuvo nustatyti, LPDDR3 pasiūlys dvikanalį režimą bei padvigubėjusią pralaidą, lyginant su to pačio dažnio LPDDR2 atmintimi.