„SK Hynix“ plėtoja 4D NAND atmintį

Rinkoje beveik nebeliko SSD kaupiklių, kurie nebūtų pagaminti naudojant 3D NAND technologiją, leidžiančią vieną ant kito lipdyti celes. „SK Hynix“ mano, kad yra potencialo sukurti ir 4D NAND technologiją. Ji atrištų rankas periferinio bloko, kuris atsakingas už kiekvieno celių sluoksnio apjungimą, integruoti po žemiausiuoju sluoksniu. Dabar šis blokas talpinamas greta.

Toks pakeitimas padėtų sutalpinti daugiau celių. „SK Hynix“ sukurtas V5 sumuštinis į vieną bokštą apjungia 4 celes ir periferinį bloką. Tokia struktūra buvo integruota į 96 sluoksnių 4D TLC NAND lustą, nors vystoma technologija puikiai tinka ir QLC tipo atminčiai. Kaip parodė tyrimai, tokios struktūros NAND atmintis yra ~25-30 % spartesnė ir iki 150 % efektyvesnė lyginant su V4 sumuštiniu, kuriame, reikėtų suprasti, periferinis blokas yra greta celių. Pirmieji 512 Gbit šerdis 4D NAND lustai turėtų būti pradėti gaminti paskutiniame šių metų ketvirtyje.