Samsung Electronics, bene didžiausias pasaulyje įvairios dinaminės darbinės atminties gamintojas, ketvirtadienį pareiškė, kad pradeda masinę GDDR5 atminties lustų gamyba naudojant 50nm technologinį procesą. Naujasis technologinis procesas leidžia pasiekti aukštesnius dažnius bei sumažinti energijos suvartojimą.

Naujasis GDDR5 atminties lustas nuo šiol leidžia ne tik šiam atminties tipui dirbi 7GHz dažniu, tačiau sumažinti atminties lusto įtampą. Įprastai ji svyruoja tarp 1,425V-1.575V esamuose GDDR5 Samsung atminties lustuose, tačiau, pasak kompanijos, naujieji naudoja 1,35V voltažą. Be to, naujųjų GDDR5 lustų gamyba yra pigesnė: pilnai įdiegus 50nm procesą, ką Samsung ekspertai ir padarė, pasiektas 100% gamybos efektyvumas lyginant su 60nm procesu.

Lustas turės dvilypę pralaidą – jei jungiant procesorių naudojama 256-bitų magistralė, pralaida sieks 224GB/s, o jei 512-bitų magistrale – 448GB/s. Tiesa, neaišku kurios grafinės vaizdo plokštės naudos naujuosius 7GHz GDDR5 lustus, bet pažiūrėjus į tai, kad tiek ATI, grafinis Advanced Micro Devices padalinys, tiek nVidia korporacija jau ruošia naujos kartos aukštos klasės grafinius sprendimus šių metų antrajai pusei, net neabejojame, kad šis Samsung sprendimas bus panaudotas.