„Samsung“ pradeda masinę antros kartos 14 nm FinFET lustų gamybą

„Samsung“ pranešė, kad jų gamyklos yra pasiruošusios pradėti gaminti antros kartos 14 nm FinFET lustus. Kompanijai prireikė metų laiko, kad galėtų pagerinti 14 nm LPP (Low-Power Early) lustų gaminimo techniką į 14 nm LPP (Low-Power Plus).

Patobulinta litografija leis pagaminti 15 % didesnę spartą pasiekiančius lustus tuo pačiu sunaudojant 15 % mažiau energijos palyginus su prieš metus naudota technologija.

Tai yra puiki žinia tiek patiems „Samsung“, kurie ruošiasi gaminti „Exynos“ procesorius, tiek partneriams. Vieni iš labiau žinomų klientų bus AMD ir „Qualcomm“. AMD naudodami 14 nm FinFET LPP techprocesą „keps“ sekančios kartos vaizdo plokštes, o „Qualcomm“ jau sutarė tuose pačiuose fabrikuose gaminti „Snapdragon 820“ lustus, kurie telefonuose atsiras dar pirmame šių metų pusmetyje.