„Samsung 990“: nuo aukštumų iki žemumų

Žvilgsnis į 990 šeimą

Vietoje to, kad „Samsung“ būtų atsisakiusi popierinio vartotojo gido, šįkart jis dar įsuktas į papildomą „voką“. Visiškai pakaktų ir skanuojamo EQ kodo, o popierius galėtų būti taupomas.

 

990 pirkėjui siūlomas vieninteliu pavidalu, t.y. be radiatoriaus. Tam yra pagrindo: greičiai ne milžiniški, vienas flash lustas, didelis atstumas tarp jo ir valdiklio, galiausiai viskas ant vienos PCB pusės – palankios sąlygos ne tik vėsiam darbui be radiatoriaus, bet ir maksimaliam suderinamumui ploniausiuose kompiuteriuose. Ant 2280 formato montažinės plokštės (iš kitos pusės) – šilumą išsklaidanti varinė plokštelė. „Samsung“ startuoja su 1 TB ir 2 TB talpos modeliais. Paprastai pasirinkus 3D-QLC tipo atmintį talpa auga bent iki 4 TB, bet šiuo laikotarpiu tai tiesiog nelogiška – toks SSD būtų pernelyg brangus net su 3D-QLC atmintimi. Mažesnės nei 1 TB talpos sprendimas taip pat nelogiškas – gresia pernelyg didelis spartos praradimas.

 

990 kaupiklis naudoja „PiccoloQ“ valdiklį, kuris yra pritaikytas darbui būtent su 3D-QLC atmintimi. Priminsime, kad 3D-TLC atmintį turintis 990 EVO Plus, kurį apžvelgėme seniau, naudoja „Piccolo“ (be Q) valdiklį. Šių dviejų valdiklių vidinis dizainas identiškas: ARM „Cortex“ R8 + R5 branduoliai, keturi kanalai, 2400 MT/s vidinės magistralės sparta, DRAMless veikimas. Tik šįkart „Samsung“ nesivargino priskirti PCIe 5.0 x2 režimo greta standartinio 4.0 x4.

990 kaupiklis gavo naujos kartos (V9) 3D-QLC atmintį, kuri sudaryta iš 286 sluoksnių. V8 generaciją „Samsung“ praleido, tad lyginant su V7 turime 60 % siekiantį I/O pagerėjimą ir spartos padidėjimą nuo 2000 MT/s iki 3200 MT/s. Poruoti 3200 MT/s flash su 2400 MT/s valdikliu neatrodo logiškiausias sprendimas, bet ši 3D-QLC atmintis yra spartesnė už V8 kartos TLC (2400 MT/s). Į 3D-QLC (V9) atmintį galima pasižiūrėti kaip į proveržį tankumo prasme. Ši atmintis yra 86 % tankesnė už V7, tačiau „Samsung“ vis dar neturi 2 Tb talpos šerdžių, tad 2 TB modelyje vienintelis flash lustas sudarytas iš 16 šerdžių po 1 Tb. 2 TB kaupikliui tai įprasta konfigūracija.

 

Ant popieriaus matome, kad naujasis 990 pernelyg niekuo nenusileidžia 3D-TLC atmintį naudojančiam identiškos talpos 990 EVO Plus. Linijinis skaitymas identiškas (po 7250 MB/s), o rašant 990 net kiek spartesnis (6450 MB/s vs 6300 MB/s). Tiesa, 3D-TLC atmintį turintis EVO Plus lieka stipresniu matuojant maksimalius IOPS: +150 000 IOPS ir skaitant, ir rašant. Tuo tarpu 990 EVO nusileidžia 3D-QLC kaupikliui visais atžvilgiais. Linijinė skaitymo/rašymo sparta mažesnė daugiau nei 2 GB/s. Abu 3D-TLC atmintį naudojantys EVO (Plus) kaupikliai vis dar siūlo 50 % didesnę ištvermę: vietoje 800 TB ištvermė siekia 1200 TB.

Samsung 990 šeimos specifikacijos
Talpa (reali)	1 TB (1000 GB)	2 TB (2000 GB)
Formatas	M.2 2280 (80 x 22 x 2,4 mm)
Valdiklis	Samsung PiccoloQ
NAND atmintis	Samsung 3D QLC V-NAND v8 (286 sluoksnių)
Protokolas	NVMe 2.0
Sąsaja	PCIe 4.0 x4
Spartinančioji DRAM atmintis	–
HMB palaikymas	+
Maksimalus linijinis skaitymas	7150 MB/s	7250 MB/s
Maksimalus linijinis rašymas	6450 MB/s
Maksimalus atsitiktinių 4 kb blokų skaitymas	700 000 IOPS	850 000 IOPS
Maksimalus atsitiktinių 4 kb blokų rašymas	1 100 000 IOPS	1 200 000 IOPS
pSLC buferis	+
Šifravimas	AES-256, TCG Opal 2.0, IEEE-1667
Ištvermė	400 TB	800 TB
DWPD reitingas	0,4
Garantija	3 metai (Lietuvoje 3 metai)