„Samsung“ pristato FeFET NAND proveržį, kuris sumažina energijos suvartojimą iki 96 %

Kadangi dirbtinio intelekto bumas skatina masinę duomenų centrų plėtrą, atminties paklausa nuolat auga, o kartu su ja – ir žinomas didelis šiuolaikinių NAND atminties įrenginių energijos suvartojimas. „Samsung“ tyrėjai siūlo naują architektūrą, kuri galėtų smarkiai sumažinti šias energijos sąnaudas. Jei šie atradimai bus sėkmingi, tai gali būti naudinga ir mobiliesiems įrenginiams.

Tradiciškai NAND atmintys plečiamos sluoksnius sukraunant vieną ant kito. Problema ta, kad norint visiškai išnaudoti atminties talpą, reikia nuosekliai perduoti energiją per visus sluoksnius. Kiekvienu pridėtu sluoksniu padidėja perdavimo įtampa, o kartu ir bendras energijos suvartojimas.

Ankstesni bandymai apriboti energijos suvartojimą lėmė atminties langų sumažėjimą. Netgi kiti pasiūlymai, pagrįsti feroelektrikais, nesugebėjo išspręsti pusiausvyros tarp talpos didinimo ir energijos efektyvumo.

FeFET visiškai pašalina perdavimo įtampą, o tai žymiai sumažina energijos suvartojimą. Tuo pačiu metu jie išlaiko daugialypės ląstelės tankį iki penkių bitų vienoje ląstelėje – tai prilygsta arba pranoksta šiuolaikines aukščiausios klasės atminties savybes. „Samsung“ požiūris sujungia tuos oksidų puslaidininkius su feroelektrine struktūra, kad susidarytų feroelektriniai lauko efektiniai tranzistoriai (FeFET), kurie apeina tuos apribojimus.

FeFET visiškai pašalina perdavimo įtampą ir gali sumažinti energijos suvartojimą iki 96 procentų, palyginti su įprastais NAND. Tuo pačiu metu jie išlaiko daugialypės ląstelės tankį iki penkių bitų vienoje ląstelėje – tai prilygsta arba pranoksta šiandienos aukščiausios klasės atmintį. „Samsung“ siūlo mastelį FeFET dizainams, sukraunant tranzistorius su 25 nm trumpais kanalais. Šie atradimai, kuriuos padarė daugiau nei 30 tyrėjų iš „Samsung“ technologijų instituto ir puslaidininkių mokslinių tyrimų ir plėtros centro, neseniai buvo paskelbti žurnale „Nature“.