Samsung pradėjo masinę 30nm 2Gb DDR3 DRAM lustų gamybą

Elektronikos milžinas Samsung su džiaugsmu pranešė, kad pradėjo masinę 2Gb DDR3 DRAM lustų gamybą pagal 30nm technologinį procesą, kad patenkintų industrijos poreikius spartesnei, mažiau energijos eikvojančiai darbinei atminčiai.

Naujieji Samsung 30nm DDR3 lustai gali dirbti 1866MHz dažniu prie 1.35V įtampos ir 2133MHz dažniu, kai įtampa yra padidinama iki 1.5V. Kaip teigiama, šie darbinės atminties lustai bus naudojami praktiškai visur – nešiojamuosiuose, staliniuose kompiuteriuose, serveriuose, internetiniuose nešiojamuosiuose ir kituose mobiliuose įrenginiuose.

„Mes matome akivaizdžiai padidėjusią DDR3 atminties lustų paklausą ir norime patenkinti klientų poreikius laiku pristatydami 30nm technologiniu procesu pagrįstus DDR3 sprendimus. Mes ir toliau tęsime darbus bei šių metų pabaigoje pristatysime jau 4Gb DDR3 lustus.“ – spaudos pranešime sakė Soo-Inas Choas, darbinės atminties padalinio prezidentas.