Samsung pristatė 20nm NAND lustus

Bendrovė Samsung pristatė pirmuosius 20 nm NAND lustus, skirtus naudoti Secure Digital tipo atminties kortelėse ir integruotose atmintinėse. Pirmasis 32 gigabitų (Gb) NAND lustas patenkins vis didėjantį atmintinių talpos poreikį, kuris atsiranda dėl populiarėjančių išmaniųjų telefonų, aukštos klasės IT prietaisų ir sparčiųjų atminties kortelių.

„Prabėgus vos vieneriems metams nuo 30 nm klasės NAND gamybos pradžios Samsung pristato naujos kartos 20 nm NAND lustus, kurie yra našesni ir apdoroja didesnį duomenų kiekį.,“ – teigė Samsung Electronics atminties skyriaus prezidentas Soo-Inas Choas. Pasak jo, naujieji 20 nm NAND lustai – tai ne tik reikšmingas žingsnis procesų projektavimo, bet ir technologijų pažangos srityje.

Pasak Samsung, 20 nm MLC NAND lustų našumas yra 50 proc. didesnis nei 30 nm MLC NAND. Be to, įrašymo sparta į 20 nm lusto SD kortelę yra 30 proc. didesnė nei į kortelę turinčią 30 nm NAND lustą. Šios technologijos spartos reitingas yra 10. Naudodama šiuolaikinius procesus, dizaino ir valdiklių technologiją, Samsung užtikrina aukštą patikimumo lygį, prilygstantį 30 nm NAND.

Šiuo metu Samsung SD kortelių, pagamintų naudojant 20 nm 32 Gb NAND, pavyzdžius pateikia savo klientams, o jų gamybą planuojama išplėsti dar šiemet. Planuojama, kad atminties kortelių, gaminamų naudojant 20 nm technologiją, talpa sieks nuo 4 GB iki 64 GB.