„Samsung 870 EVO“: daug arčiau Pro

Žvilgsnis į 870 EVO seriją

Išleisdama 870 EVO SSD kaupiklius „Samsung“ apsiribojo vien 2,5″ formatu – M.2 ir mSATA formatų nebėra. Bent kol kas. Aštuonių NAND kanalų MKX valdiklis yra paimtas iš 870 QVO kaupiklių. Ar egzistuoja dažnio skirtumai nėra aišku, kaip ir skirtumai tarp MKX bei MJX, kurį naudojo 860 QVO serija. Greičiausiai kalbame apie labiau rafinuotą programinį kodą, o geriausiu atveju apie kažkokius minimalius patobulinimus aparatiniu lygmeniu. Atidėjinių sistemai priskirti tie patys 9 % SSD talpos, išlaikytas ir šifravimo paketas su AES-256, TCG Opal 2.0 ir IEEE-1667. Tebėra naudojami LPDDR4 DRAM lustai.

Pokyčiai palietė NAND posistemę. 64 sluoksnių 3D TLC V-NAND atmintis yra pekeista į 1xx sluoksnių 3D TLC V-NAND atmintį. Tai jau šeštos kartos 3D TLC V-NAND. „Samsung“ oficaliai nepažymi tikslaus sluoksnių skaičiaus, tačiau galimai tai turėtų būti 128 sluoksniai. Optimalizuodami dizainą „Samsung“ su kiekviena karta siekia išgauti bent 10 % spartos, o energijos suvartojimas gali sumažėti ~15 %. Tiesa, spartos padidėjimas dažniausiai siejamas su paeiškos laikų (angl. latency) sušvelninimu.

Samsung 870 EVO šeimos specifikacijos						860 EVO
Talpa	250 GB	500 GB	1 TB	2 TB	4 TB	1 TB
Formatas	2,5″					2,5″, M.2 2280, mSATA
Valdiklis	Samsung MKX					Samsung MJX
NAND atmintis	Samsung 1xx sluoksnių 256/512 Gbit 3D TLC V-NAND (6th gen)					Samsung 64 sluoksnių 3D TLC (4th gen)
Sąsaja	SATA III 6 Gb/s
Protokolas	AHCI
Spartinančioji DRAM atmintis	512 MB LPDDR4		1024 MB LPDDR4	2048 MB LPDDR4	4096 MB LPDDR4	1024 MB LPDDR4
Maksimalus linijinis skaitymas	560 MB/s					550 MB/s
Maksimalus linijinis rašymas su TurboWrite	530 MB/s					520 MB/s
Maksimalus linijinis rašymas be TurboWrite	300 MB/s		530 MB/s			500 MB/s
Maksimalus atsitiktinių 4 kb blokų skaitymas	98 000 IOPS					98 000 IOPS
Maksimalus atsitiktinių 4 kb blokų rašymas	88 000 IOPS					90 000 IOPS
Fiksuota pSLC atmintis	3 GB	4 GB	6 GB			6 GB
Dinaminė pSLC atmintis	9 GB	18 GB	36 GB 72 GB		72 GB	36 GB
Bendra pSLC atmintis	12 GB	22 GB	42 GB 78 GB		78 GB	42 GB
Šifravimas	AES 256, IEEE-1667, TCG Opal 2.0					AES 256, IEEE-1667, TCG Opal 2.0
Maksimalios energijos sąnaudos	?					2,2 W
Ištvermė	150 TB	300 TB	600 TB	1200 TB	2400 TB	600 TB
Kaina, skytech.lt	45 €	68,5 €	123,2 €	225,5 €	433 €	135,2 €
Gigabaito kaina	0,18 €	0,137 €	0,123 €	0,113 €	0,108 €	0,135 €
Garantinis aptarnavimas Lietuvoje	5 metai

Grynieji spartos skaičiai keičiasi labai nežymiai. Lyginant su 860 EVO maksimali linijinė skaitymo sparta pakilo nuo 550 MB/s iki 560 MB/s. Tiek pat (10 MB/s) padidėjo ir rašymo sparta, 520 MB/s -> 530 MB/s. Maksimali atsitiktinių 4 kb blokų skaitymo sparta išliko nepakitusi (98 000 IOPS), bet maksimali rašymo sparta išlieka 2000 IOPS didesnė pas 860 EVO kaupiklius. Šie skaičiai galioja visiems 870/860 EVO kaupikliams nepriklausomai nuo jų talpos. Išsekus pSLC buferiui ir tuo pačiu nebefunkcionuojant „Samsung“ vadinamai TurboWrite technologijai 1 TB talpos 870 EVO rašymo sparta nesumažėja, kai 860 EVO patiria didesnį kritimą, iki 500 MB/s. „Samsung“ produkto pristatomose skaidrėse skambiai nurodo, kad naujos kartos 870 EVO (2 TB) geba pasiekti iki 38 % daugiau spartos skaitant atsitiktinius 4 KB blokus, tačiau būtent šios talpos EVO pasirinktas neatsitiktinai.

Gamintojas fiksuoto pSLC buferio nedidino nei viename iš 870 EVO kaupiklių. Dinaminis buferis, kurio reali talpa priklauso nuo kaupiklyje esančios tuščios vietos, buvo padidintas būtent 2 TB 870 EVO modelyje. Lyginant su praėjusios kartos EVO, jis padidėjo dukart, nuo 36 GB iki 72 GB, todėl dabar 2 TB modelis turi tokios pačios talpos pSLC buferį kaip ir 4 TB flagmanas, po 78 GB.

Kai dinaminį pSLC buferį yra galimybė panaudoti ir veikia TurboWrite technologija 870 EVO (nepriklausomai nuo talpos) linijinis rašymo greitis siekia 530 MB/s. Perpildžius buferinę sistemą 250 GB ir 500 GB modeliai gali išlaikyti tik 300 MB/s rašymo greitį, kai didesnieji 870 EVO nenukenčia ir išlaiko 530 MB/s. Trys didžiausi 860 EVO be TurboWrite sugeba pasiekti 500 MB/s spartą. Tai reiškia, kad 6-os kartos 3D TLC V-NAND turi 30 MB/s spartos pranašumą (išsekus buferiui) prieš 4-os kartos 3D TLC V-NAND. Tiesa, NAND ištvermė nepadidėjo. Penkių metų trukmės garantinio laikotarpio metu į 1 TB modelį leidžiamą prirašyti tuos pačius 600 TB.

 

Samsung 870 EVO ir 860 EVO pSLC/rašymo spartos palyginimas
Talpa	250 GB	500 GB	1 TB	2 TB	4 TB
Fiksuotas pSLC kešas	860 EVO – 3 GB 870 EVO -3 GB	860 EVO – 4 GB 870 EVO – 4 GB	860 EVO – 6 GB 870 EVO – 6 GB	860 EVO – 6 GB 870 EVO – 6 GB	860 EVO – 6 GB 870 EVO – 6 GB
Dinaminis pSLC kešas	860 EVO – 9 GB 870 EVO – 9 GB	860 EVO – 18 GB 870 EVO – 18 GB	860 EVO – 36 GB 870 EVO – 36 GB	860 EVO – 36 GB 870 EVO – 72 GB	860 EVO – 72 GB 870 EVO – 72 GB
Bendras pSLC kešas	860 EVO – 12 GB 870 EVO – 12 GB	860 EVO – 22 GB 870 EVO – 22 GB	860 EVO – 42 GB 870 EVO – 42 GB	860 EVO – 42 GB 870 EVO – 78 GB	860 EVO – 78 GB 870 EVO – 78 GB
Maksimalus linijinis rašymas su TurboWrite	860 EVO – 520 MB/s 870 EVO – 530 MB/s
Maksimalus linijinis rašymas be TurboWrite	860 EVO – 300 MB/s 870 EVO – 300 MB/s	860 EVO – 300 MB/s 870 EVO – 300 MB/s	860 EVO – 500 MB/s 870 EVO – 530 MB/s	860 EVO – 500 MB/s 870 EVO – 530 MB/s	860 EVO – 500 MB/s 870 EVO – 530 MB/s

Kaupikliui priklauso stora vartotojo knygutė, o komplektaciją galima papildyti „Magician“ ir „Data Migration“ įrankiais (pastarasis reikalingas klonuojant duomenis iš HDD į SSD), kuriuos pirkėjas ras oficialioje „Samsung“ svetainėje.

Apie SSD išvaizdą nieko ypatingo nepasakysi net norėdamas. Panaudotas 7 mm aukščio aliumininis korpusas, kuris suteikia solidaus produkto įspūdį. Tačiau atidaryti šį korpusą nėra paprasta, nes gamontojas vėl naudoja labai smulkų šešiakampį užraktą.