Sunkiasvoris „Crucial MX300“: geriausias spartos, talpos ir kainos pasirinkimas?

Apie IMFT 3D TLC NAND atmintį

„Micron“ tapo antruoju gamintoju (po „Samsung“), kuris SSD kaupiklių gamyboje ėmė naudoti 3D NAND tipo atmintį, tačiau tai ne viena ir ta pati atmintis. Kurdama savo pirmos kartos 3D NAND bokštus „Micron“ glaudžiai, o tai yra visiškai nestebina, bendradarbiavo su „Intel“, priimant sprendimą naudoti slankiojančių vartų (angl. floating gates) tranzistorius, kuomet „Samsung“ pasirinko krūvio sulaikymo (angl.charge trap) technologiją, aptartą 850 Pro apžvalgos metu. „Micron“ tokiu pasirinkimu laimi du labai svarbius dalykus: pasirinktas metodas yra pigesnis ir garantuoja stabilesnę lustų gamybą, o taip pat nėra būtinybės kardinaliai keisti programinio kodo, nes po NAND esančių struktūrų išdėstymas iš esmės nepasikeitė – lyginant su planarine TLC atmintimi liko daugybė panašumų. Už programinį kodą atsakingiems darbuotojams nereikia laužyti galvos dėl „Dynamic Write Acceleration“ ir susidėvėjimo algoritmų adaptacijos. Jų tikrai neturėtų laukti bemiegės naktys, ko nepasakysi  apie „Samsung“ programuotojus, bandžiusius sutvarkyti 840 EVO problemas, kurios iki galo taip ir nebuvo niekada pašalintos. Kad „Micron“ nuėjo kitu keliu ir 3D NAND lustai yra ne tokie patys kaip konkurentų parodo jų dydis. IMFT koncerno sukurti NAND lustai sudaryti iš 32 sluoksnių ir pasižymi 256 Gbit MLC arba 384 Gbit (48 GB) TLC konfigūracijomis, kai „Samsung“ antros kartos 3D V-NAND lustai sudaryti iš 48 sluoksnių, tačiau teturi 128 Gbit MLC/256 Gbit TLC šerdis. Panašu, kad 32 sluoksniai pradžiai viskas, ko reikia, nes į viešbutį panaši struktūra, tapusi aukštesne, gali susidurti su perkaitimo bei išaugusio vėlinimo laikų problema.