Apžvalgos ir straipsniai
„AMD Mantle“ su „MSI R9 280X Gaming OC“
Į antrąjį dublį patenka ne tik spartos skirtumas tarp „AMD Mantle“ ir DirectX API, bet ir „MSI R9 280X Gaming OC“ spartinimas ir „Twin Frozr V“ aušinimo sistemos įvetinimas.
„FiiO X3“ skaitmeninis grotuvas
Ką daryti, jei netenkina telefono garso posistemė, telefono ir DAC’o dėžutės kombinacija kelionėms skirtų kelnių kišenei atrodo per didelė arba išsirinktas DAC’as su telefonu tiesiog nesuderinamas?
„MSI GTX 750 Ti Gaming OC“
Nenuostabu, kad didžiulio pasisekimo sulaukusi „Twin Frozr IV“ aušinimo sistema yra sumontuota ir ant „MSI GTX 750Ti Gaming OC“ vaizdo spartintuvo. Galbūt ji ne tik negirdima, bet ir itin šalta?
„Palit GTX 750 Ti StormX Dual“
Šiandienos tikslas – išsiaiškinti, ar kur kas didesnius „out of the box“ dažnius turinti „Palit GTX 750 Ti StormX Dual“ yra tinkama komfortabiliam žaidimui naudojant 1920 x 1080 rezoliuciją.
Partneriai
Reklama
Naujiena

Aukštų specifikacijų monolitiniai grafeno tranzistoriai tapo realybe!

Parašė: BC00 Data: 2012-07-24 01:07:13
Kategorija: Mokslas

Vokietijoje esančio "Erlangen-Nurenberg" universiteto tyrinėtojams pavyko sukurti pirmajį aukštų specifikacijų monolitinį grafeno tranzistorių, panaudojus paprastą litografinio ėsdinimo procesą.

Toks atradimas galėtų leisti atsisakyti silicio ir nutiesti kelią link "grafeno elektronikos", tačiau to nereikėtų tikėtis jau artimiausioje ateityje, mat šie sukurti tranzistoriai nėra itin maži ( tarp 100 mikrometrų  ir 100 000 nanometrų).

Niekam nepaslaptis, jog grafenas turi daugybę ypatingų ir itin geidžiamų savybių, kaip itin didelis, tiesa sakant pats didžiausias Žemėje, laidumas. Teoriškai, IBM ir UCLA paskaičiavimais, grafeno tranzistoriai geba pasiekti nuo poros teraHz iki 100 GHz dažnį. Dėja, bet grafenas pasižymi vienu dideliu trūkumu - priklausomai nuo įtampos, jis negali keisti savo laidumo , o kadangi tai yra ne gamtinis resursas, priešingai nei silicis, tranzistorių gamyba iš šios medžiagos dar labiau pasunkėja.

Mokslininkai iš Vokietijos sugebėjo pagaminti pirmąjį monolitinį grafeno tranzistorių iš įkaitinto silicio karbido. Aukštoje temperatūroje iš kristalo pasišalina silicio atomai ir tokiu būdu gaunamas vienas sluoksnis grafeno. Dėja, bet toks grafenas yra bevertis, todėl į pagalbą pasiteikiamas reaktyvus jonų ėsdintojas ir vandenilio garai, kurie atlieka likusį darbą, "įjungdami" grafeno unikalias savybes.


Kitos naujienos

Komentarai

donaciuxx

2012-07-25 19:24:37
"mat šie sukurti tranzistoriai yra itin maži ( tarp 100 mikrometrų ir 100 000 nanometrų)." su kuo lyginant atrodo mazi? dabartiniai procesoriai gaminami 22nm technologiniu procesu. kazko nesupratauy cia šypsosi.

BC00

2012-07-26 00:07:50
Sunku pasakyti, galbūt silicio ir grafeno gamybos technologijos dydžiu nelygios viena kitai. Ta prasme, masinei produkcijai skirtas grafeno tranzas turėtų būti, sakykim, 10 mikrometrų.

Atavar

2012-07-26 08:08:52
Cia matyt klaida tavo saltinyje buvo. Turetu buti zodis "nera" vietoje "yra". Tada viskas tampa ok. Nes toliau dar turetu buti eilute (mano skaitytame saltinyje), kad technologija sukurta, o jos mazinimo iki komerciskai panaudojamu dydziu turetu imtis gamintojai (kazkaip panasiai taip) šypsosi

BC00

2012-07-26 21:34:46
Atavar -> panašu į tiesą, pataisytašypsosi

Norėdami rašyti komentarus, turite prisijungti!
Reklama
Reklama
Reklama
Apklausa
Kokio tipo matricą turi Jūsų monitorius?

IPS

TN

VA

PLS

Nežinau

Facebook
©2007-2014 Technews.lt
Apie/About | Taisyklės | RSS | Pagrindinis | Naujienos | Apžvalgos | Straipsniai | Diskusijos