„Samsung“ pradeda gaminti 5-os kartos V-NAND atmintį

„Samsung“ praneša pradėjusi gaminti 5-os kartos V-NAND atmintį, kuri yra sudaryta net iš 96 sluoksnių. Prieš tai buvo gaminama 64 sluoksnių V-NAND atmintis. Dėka naujos technologijos atmintis bus greitesnė ir pasižymės mažesniu atsako laiku.

„Samsung“ sako, kad jų atmintis turi daugiau nei 90 sluoksnių, tikslus tų sluoksnių skaičius yra 96. Kiekvieno sluoksnio aukštis yra sumažintas 20 %, o tai leidžia padidinti gamybos produktyvumą daugiau nei 30 %.

Nauja 5-os kartos V-NAND atmintis naudoja specialią DDR 4.0 sąsają, kurios dėka galima padidinti duomenų perdavimą tarp kaupiklio ir operatyviosios atminties. Naujausias 256 Gbit V-NAND lustas gali pasiekti 1.4 Gbps spartą, o tai yra 40 % išaugusi sparta lyginant su 4-os kartos V-NAND atmintimi. 5-os kartos V-NAND dar turi daug mažesnę įtampą – 1.2 V, senesnei atminčiai reikėjo 1.8 V. Kaip minėjome, sumažintas ir atsako laikas. Dabar rašant atsako laikas siekia 500 mikrosekundžių, o tai 30 % pagerėjimas. Duomenis skaitant atsako laikas yra sumažintas iki 50 mikrosekundžių.

„Samsung“ planuoja toliau didinti 5-os kartos V-NAND gamybą. Pirmiausia bus kepami 256 Gbit TLC atminties lustai. Ši atmintis bus naudojama įprastuose ir serverių tipo SSD kaupikliuose. Didesnės talpos lustų gamyba prasidės kiek vėliau.

Parašykite komentarą

This site uses Akismet to reduce spam. Learn how your comment data is processed.