TSMC atskleidė daug žadančią WOW technologiją, galimai leisiančią atsisakyti monolitinių lustų

Renginyje „TSMC Technology Symposium“ puslaidininkių gamintojas atskleidė technologiją, pavadinimu WOW (Wafer-on-Wafer), kurios esmė yra silicio plokštelių sluoksniavimas viena ant kitos 3D erdvėje. Ši technologija leidžia apjungti lustus, esančius skirtingose plokštelėse, TSV (Through Silicon Via) jungtimis. WOW jungimo principas panašus į tą, kuris naudojamas 3D NAND technologijoje ir skiriai nuo „Intel“ EMIB technologijos ir interpozerio panaudojimo.

WOW leidžia tiesioginiu būdu apjungti dvi šerdis, užtikrinant minimalius duomenų apsikeitimo laikus dėka ypač mažo atstumo tarp jungiamų silicio plokštelių. Toks būdas leidžia sukurti aukštos spartos silicį tuo pačiu sumažinant jo užimamą plotą. TSMC sukurta technologija turi savų pranašumų ir trūkumų. WOW perspektyvus tuom, kad leidžia vienu metu sujungti dvi šerdžių plokšteles. Alternatyvus metodas leistų jungti tik atskiras šerdis, o tai gerokai sumažintų lygiagretumo efektą gamybos metu bei padidintų išlaidas. WOW technologija problematiška tampa tada, kai brokuotos šerdys, esančios kieviename sluoksnyje, susitinka su veikiančiais lustais antrajame sluoksnyje. Tai mažina išeigos efektyvumą ir apsprendžia, kad WOW nėra tinkamas panaudojimui kuomet gamybos efektyvumas wafer by wafer bazėje mažas. WOW pasiteisinti išeigos efektyvumas turi siekti 90 % ar daugiau. Kita problema susijusi su šilumos išskyrimu. Viena ant kitos dedamų silicio plokštelių skaičius gali būti apribotas būtent dėl šilumos tankio, kurį jos ir sudaro. Kol kas panašu į tai, kad WOW geriausiai tiktų efektyviam, mažai energijos naudojančiam, siliciui „klijuoti“.

WOW atsiradimas aukštos spartos produktuose, pavyzdžiui „nVIDIA“ ir AMD vaizdo spartintuvuose, matomai užtruks, tačiau akivaizdu, kad TSMC naujovė turi potencialo leisti atsisakyti didelių monolitinių lustų, ką AMD jau pavyko padaryti su „Threadripper“ procesoriais.