„Asus Prime X299-A“ laiko „Core i9-7900X“ testą

„Asus Prime X299-A“ VRM grandinė

Bazinis „Core i9-7900X“ dažnis siekia vos 3,3 GHz, kas reiškia, kad net mažiausiai palankiais atvejais jis privalo nenukristi žemiau nominalios ribos. Vis tik tikrasis branduolių dažnis yra gerokai aukštesnis: Turbo Boost 2.0 įpareigoja jį kilti iki 4,3 GHz (pasirenkant bet kurį branduolį mažagijose aplikacijose), o naujausias Turbo Boost 3.0 algoritmas prideda dar +200 MHz. Tačiau yra kita medalio pusė. 4,3 GHz Turbo dažnis aktyvuojamas tik dviems iš dešimties branduolių, o Turbo Boost 3.0 įjungiamas tik prie ypač lengvos apkrovos, nors ir parenkama ant kokybiškiausio silicio išdėstyta branduolių pora. Lyginant su „Broadwell-E“ architektūros procesoriais, kuriuose Turbo Boost 3.0 paliesdavo tik vieną branduolį, galima sakyti, kad Intel padarė pažangą. Dar didesnis postūmis į priekį matomas lyginant ir realius taktinius dažnius. Apkrovus visus i9-7900X branduolius turėtų būti pasiekiamas 4,0 GHz dažnis, kuomet identiškas skaičius i7-6950X turimų branduolių neviršydavo 3,4 GHz. Šioje srityje „Intel“ rezervų turėjo pakankamai, tačiau tai atsiliepė energijos sąnaudoms, kadangi naudojamas techprocesas liko tas pats, t.y. 14 nm. TDP reitingas nepasikeitė, išliko 140 W, bet šis parametras ne tik kad nesutampa, bet dažnai būna, jog kardinaliai skiriasi nuo tikrųjų procesoriaus poreikių elektros energijai.

Nereikėjo būti labai akylam, kad nepastebėti, jog praleidome X299-A VRM grandinės analizę. Čia VRM grandinė ir jos aušinimas vaidina kur kas svarbesnę reikšmę, kadangi, skirtingai nei Z270 platforma, „Intel“ savo HEDT platformai siūlo gerokai elektros poreikiams reiklesnių procesorių. PWM valdikliu pasirinktas skaitmeninis „International Rectifier IR35201“, kurį „Asus“ pervadino į ASP1405. VCCIN mazgo grandinė sudaryta iš tikrų 7 fazių, kiekvienai gaunant po vieną IR3555 energijos bloką. Bendras teorinis stipris siekia 420 A (7x 60 A). Filtracija patikėta japoniškiems polimeriniams 10K kondensatoriams.

„Coolenjoy.net“ iliustracija

Atvirame stende be papildomo aušinimo tokia VRM grandinė pajėgi, neviršijant kritinės 105 °C temperatūros, nepertraukiamai duoti 250 W išeigą. Priklausomai nuo apkrovos MOSFET tranzistorių efektyvumas siekia 90 – 94 %, todėl prie 250 W įeiga sieks beveik 280 W (imant 90 % efektyvumą). Nors vien kaip šiluma išskiriami 30 W neatrodo daug, tačiau tai rimtas darbas ant MOSFET tranzistorių uždėtam radiatoriui. Kaip visuomet prie šitos dalies prisiliečia ne tik inžinieriai, bet ir dizaineriai. Eilinį kartą matome, kad VRM grandinę aušinančio radiatoriaus dizainas yra savotiškas miksas tarp efektyvumo ir grožio. Pakankamai aptakios formos neduos maksimalaus efektyvumo, tačiau galima pasidžiaugti, kad „Asus“ apsiėjo be plastmasinių pagražinimų, o tvirtinimas priešingoje PCB dalyje atliktas ne spaustukais, o varžtais. X299-A radiatoriaus efektyvumas vertinamas vidutiniu lygiu. Integruodama papildomą 4-pin EPS12V lizdą „Asus“ padidino teorinę įeigos galią nuo 288 W (1x 8-pin EPS12V) iki 432 W (1x 8-pin + 1x 4-pin EPS12V). Visų pirma toks sprendimas labiau vertinamas kaip apsauga pačiam maitinimo šaltinio EPS kabeliui, kuris gali stipriai įkaisti. Ant motininės plokštės PCB esantys EPS takeliai gerokai atsparesni aukštai srovei. Minėti skaičiai EPS lizdų konfigūracijoms yra daugiau teoriniai (gali būti perduota ir daugiau, ir mažiau W), kuo „Prime95“ apkrovos metu įsitikinome palikdami vienintelį 8-pin EPS kabelį. Mūsų teoriniais paskaičiavimais, i9-7900X (4,3 GHz/ 1,135 V) prašant tikrai daugiau nei 300 W, 850 W galios „Seasonic Prime Titanium“ maitinimo šaltinio EPS kabelis tapo šiltas, bet ne daugiau.

VCCSA ir VCCIO mazgus valdo „Richtek“ PWM valdiklis, po kurio priežiūra patenka ir „ON Semiconductor“ 4C09B MOSFET tranzistoriai. Kiekviena keturių DIMM atminties lizdų pora gauna po 2 fazes, sudarytas iš tų pačių 4C09B MOSFET’ų ir žemo profilio induktorių.