M.2 NVMe kaupiklio aušinimas „Asus TUF X299 Mark 1“ pastangomis: praktiška ar ne?

„X299 Mark 1“ VRM grandinė

„Asus“ pasirinko tą patį pilnai skaitmeninį IR35201 (aka ASP1405I) PWM valdiklį, tačiau po radiatoriumi sumontavo ne 7 (lyginame su „Prime X299-A“), o 8 VCCIN fazes. Pasirinkti komponentai taipogi skirtingi. Čia integruoti „Infineon BSG0812“ dual-N MOSFET blokai, teoriniam grandinės stipriui siekiant 400 A (8x 50 A). Dėl mažesnio stiprio per vieną bloką, tai truputėlį mažiau už „Prime X299-A“ (420 A). Perkaitimo temperatūrinis slenkstis identiškas, t.y. 105 °C. Nuo pat pirmos X299 apžvalgos pasisakėme prieš VRM radiatoriaus apkarstymą plastmase, ypač kai radiatoriaus struktūra (kalbame apie formas) nėra pilnai orientuota į kuo efektyvesnį šilumos išsklaidymą. Tokiu neatrodo ir dar smulkesnis „X299 Mark 1“ turimas radiatorius. Po plastiko priedanga „Asus“ tikrai galėjo išlankstyti kažką įmantresnio.

Situaciją turėtų pataisyti, ką pabandysime patikrinti patys, būtent metalinė galinė plokštelė, papildomai surenkanti šilumą nuo kitoje PCB pusėje esančių VRM komponentų. Kaip minėjome, kaitimas prie vienodos išeigos sumažinamas 5-10 °C. Be to, nepaisant mažesnio teorinio stiprio, maksimali reali išeiga prastu oro judėjimu pasižyminčiame korpuse „Mark 1“ modelio yra netgi didesnė už „Prime X299-A“ (260 W vs 250 W). Ramybę maitinimo šaltinio EPS12V kabeliui ir tuo pačiu vartotojui, žaidžiančiam su „dellid‘intu“ daugiabranduoliu „Skylake-X“ procesoriumi, garantuoja papildomas 4-pin EPS12V lizdas, išplečiantis teorinę įeigą iki 432 W. Likusiais komponentais pasirinkti TUF klasei priskiriami induktoriai ir polimeriniai kondensatoriai. Pastarieji sertifikuoti 10 000 valandų ištvermei.

„Gecid.com“ iliustracija

VCCIO kontrolė tenka „Richtek“ PWM valdikliui, o apkrova „ON Semiconductor 4C09B“ MOSFET tranzistoriams. Pakitimų operatyvios atminties VRM grandinėje nėra – kiekvienas keturių DIMM lizdų komplektas gauna po dvi fazes, valdomas identiško „Richtek“ valdiklio.