„Samsung 870 QVO“: visai „nesamsungiškas“ SSD

Žvilgsnis į 870 QVO šeimą

Aprašai apie produktų pakuotes yra patys neįdomiausi, tačiau šįkart turime įdomų faktą. Nežinome kodėl, bet ant dėžutės yra nurodyta netiksli SSD linijinė skaitymo/ rašymo sparta. Kaip vėliau paaiškės, tai ne 870 QVO, o 860 QVO kaupiklių spartos skaičiai. Komplektacijoje be brošiūros daugiau nieko nėra. Galima pridurti, kad kiekvienas įsigijęs „Samsung“ SSD kaupiklį gali parsisiųsti „Magician“ su „Migration“ programinius įrankius, leidžiančius stebėti svarbiausius SSD parametrus bei perkelti duomenis iš HDD į naująjį SSD.

870 QVO kaupikliams parinktas aliuminis korpusas. Realybėje pilka spalva yra kiek tamsesnė nei perteikia fotografijos. Kaip įprasta, tai 2,5″ formato ir 7 mm aukščio korpusas, kurio pilnai pakanka atvėsinti vidinius SSD komponentus.

Mažytis šešiakampis varžtas mums tapo problema – atidaryti korpuso negalėjome, tačiau ir taip žinome, kad 1 TB modelyje ant mažesnės nei pusės aukščio montažinės plokštės yra prilituotas vienintelis 3D QLC V-NAND lustas. Šerdies talpa 1024 Gbit (128 GB). Paprasta matematika sako, kad šerdžių turi būti 8. 24 GB (1024 – 1000) tenka atidėjinių (angl .overprovisioning) sistemai. Greta patalpintas valdiklis ir 1024 MB talpos LPDDR4 spartinančiosios atminties lustas.

Kadangi spartos lentelėse turėsime tiek 860 QVO, tiek 870 QVO SSD kaupiklius (abu po 1 TB), išsiaiškinkime, kuo jie skiriasi. Kaip ir pirmtako atveju, 870 QVO startuoja nuo 1 TB modelio – tai minimalus dydžio reikalavimas naudojant aštuonių kanalų MKX valdiklį ir 1024 Gbit NAND lustus. Kuo skiriasi MKX nuo MJX, kuris randamas 860 QVO kaupikliuose, visiškai neaišku. „Samsung“ to neatskleidžia, tačiau greičiausiai kalbame apie labiau rafinuotą programinį kodą, o geriausiu atveju apie kažkokius minimalius patobulinimus aparatiniu lygmeniu.

Naujuosiuose 870 QVO kaupikliuose montuojama antros kartos (2nd gen) 3D QLC V-NAND atmintis, kurią „Samsung“ pasigamina savo fabrikuose išskirtinai sau. Kompanija aiškiai nenurodo, iš kiek sluoksnių sudarytas šis NAND, tiesiog įvardindama sluoksnių skaičių kaip 9x. Pagal nusistovėjusias NAND gamybos taisykles, turėtų būti 96 sluoksniai. Priminsime, kad pirmos kartos 3D QLC V-NAND atmintis buvo sudaryta iš 64 sluoksnių. Visi šie aparatinio lygmens pokyčiai spartos specifikacijų lentelėje atsispindi labai nežymiai. Maksimalus linijinis skaitymas padidėjo 10 MB/s (550 MB/s -> 560 MB/s), tiek pat padidėjo ir rašymo sparta, kuri siekia nebe 520 MB/s, o 530 MB/s. Visi keturi 870 QVO modeliai pasiekia identiškus spartos skaičius. Maksimali IOPS sparta tarp senesnės ir naujesnės kartos QVO kinta 1000 – 2000 OPS ribose, taigi status kvo vėl išlaikytas.

Nieko neįvyko žiūrint ir į NAND ištvermės grafą. Skaičiai nepasikeitė. 1 TB 870 QVO ištvermė siekia tuos pačius 360 TB. Sulig augančia SSD talpa NAND ištvermė didėja geometrine progresija, kol 8 TB talpos QVO beveik pasiekia 3 petabaitus (2880 TB). DWPD (Drive Writes Per Day) reitingas lygus 0,3. Tai reiškia, kad kasdien į 1 TB modelį galima įrašyti ~300 GB duomenų nepažeidžiant limito, kuris nustatytas trims garantiniams metams. Ilgesnio 5 metų periodo, kurį gauna EVO šeimos kaupikliai, 3D QLC NAND atmintį naudojantiems įrenginiams gamintojas suteikti nesiryžta. Į šifravimo paketą įeina AES-256, TCG Opal 2.0 ir IEEE-1667. Kaip sakant, jis pilnas.

Samsung 870 QVO					Samsung 860 QVO
Talpa (reali)	1 TB (1000 GB)	2 TB (2000 GB)	4 TB (4000 GB)	8 TB (8000 TB)	1 TB (1000 GB)
Formatas	2,5″
Valdiklis	Samsung MKX				Samsung MJX
NAND atmintis	Samsung 9x sluoksnių 1024 Gbit 3D QLC V-NAND (2nd gen)				Samsung 64 sluoksnių 1024 Gbit 3D QLC V-NAND (1st gen)
Sąsaja	SATA III 6 Gb/s
Protokolas	AHCI
Spartinančioji DRAM atmintis	1024 MB LPDDR4	2048 MB LPDDR4	4096 MB LPDDR4	8192 MB LPDDR4	1024 MB LPDDR4
Maksimalus linijinis skaitymas	560 MB/s				550 MB/s
Maksimalus linijinis rašymas su TurboWrite	530 MB/s				520 MB/s
Maksimalus atsitiktinių 4 kb blokų skaitymas	98 000 IOPS				96 000 IOPS
Maksimalus atsitiktinių 4 kb blokų rašymas	88 000 IOPS				89 000 IOPS
Šifravimas	AES 256, IEEE-1667, TCG Opal 2.0
Maksimalios energijos sąnaudos	4 W	5 W	5,5 W	5,5 W	4 W
Ištvermė	360 TB	720 TB	1440 TB	2880 TB	360 TB
DWPD reitingas	0,3
Kaina (Skytech.lt)	128 €	254 €	507 €	914 €
Vieno gigabaito kaina	0,128 €	0,127 €	0,127 €	0,114 €
Garantinis aptarnavimas Lietuvoje	3 metai

pSLC buferio sandara 870 QVO kaupikliuose nepasikeitė ir išliko identiška senesniems 860 QVO. Nepriklausomai nuo talpos, visi QVO turi fiksuotą 6 GB pSLC buferį, kurį dar papildo dinaminis pSLC buferis. Vieninteliame 1 TB modelyje jis siekia 36 GB, likusiuose trijuose – po 72 GB. Dinaminis reiškia tai, kad jis yra kintantis. Užpildžius duomenimis pusę SSD talpos dinaminis pSLC buferis (grubiai) sumažės pusiau. Toliau pildant SSD dinaminis buferis trauksis, bet 6 GB fiksuotas buferis liks prieinamas. Tol, kol rašoma informacija sutilps į tuo metu prieinamą laisvą pSLC buferį ir TurboWrite technologija bus aktyvi, 870 QVO sugebės išlaikyti aukštą rašymo spartą. Užpildžius visą buferį bus imta rašyti tiesiai į 3D QLC V-NAND atmintį. „Samsung“ neslepia ir nurodo, kad grynasis rašymo greitis 1 TB modelyje krenta žemiau 100 MB/s ribos ir tik talpesni QVO sugeba išlaikyti spartą virš 150 MB/s. Kalbant tiksliais skaičiais turime 80 MB/s ir 160 MB/s. Vėlgi šios specifikacijos galioja ir 860 QVO kaupikliams. Tai kelia nuostabą, kadangi padidėjęs sluoksnių skaičius paprastai lemia didesnę NAND spartą, kartais pavyksta pasiekti net ir 30 % prieaugį.

Samsung 870 QVO ir 860 QVO pSLC/rašymo spartos palyginimas
Talpa	1 TB	2 TB	4 TB	8 TB*
Fiksuotas pSLC buferis	6 GB
Dinaminis pSLC buferis	36 GB	72 GB
Bendras pSLC buferis	42 GB	78 GB
Maksimalus linijinis rašymas su TurboWrite	530 MB/s (860 QVO 520 MB/s)
Maksimalus linijinis rašymas be TurboWrite	80 MB/s	160 MB/s

 

*tik 870 QVO