1080p testą laikantis „Core i9-7900X“ išbando „Gigabyte Aorus X299 Gaming 3“

„Gigabyte Aorus X299 Gaming 3“ VRM grandinė

Nors grandinę aušinančio radiatoriaus viršutinė dalis dizaino sumetimais turi plastmasinį intarpą, jo efektyvumas prasto apipūtimo sąlygomis vertinamas identiškai kaip „Prime X299-A“ aušinančio radiatoriaus, t.y. vidutiniškai. Visgi atsižvelgiant į masyvumą ir pačią geometriją, „Gaming 3“ aušinamasis agregatas atrodo kiek solidžiau. Po ir virš radiatoriaus sustatyti japoniški 10K filtruojantys kondensatoriai.

„Gaming 3“ VRM grandinė panaši į rastą ant „Asus“ pagrindinės plokštės. PWM valdikliu pasirinktas identiškas pilnai skaitmeninis IR35201, kurį „Asus“ buvo pervadinę į ASP1405. Esminis to pačio valdiklio panaudojimo skirtumas tas, kad „Gaming 3“ pagrindinėje plokštėje jis veikia 8+0 režimu, o tai reiškia, kad čia integruotos aštuonios VCCIN fazės. „Gigabyte“ naudoja IR3556 energijos blokus, kiekvieno stipriui siekiant 50 A. Teorinis tokios VRM grandinės pajėgumas siekia 400 A (8x 50 A). Viena papildoma fazė nekompensuoja stipresnių (60 A) IR3555 blokų. Septynetas tokių „Prime X299-A“ pagrindinėje plokštėje gali sukurti maksimalų 420 A stiprį (jeigu aušinimo sistema tik pajėgtų išsklaidyti sugeneruotą karštį). Vis dėlto skaičiuojant maksimalią energijos išeigą „Gaming 3“ turi nežymų pranašumą, kurį sukuria būtent IR3556 tranzistoriai. Esmė slypi aukštesniame perkaitimo slenkstyje, siekiančiame ne 105 °C, o 117 °C. Tokiu būdu VRM grandinė gali tiekti daugiau galios. 12 °C aukštesnis slenkstis garantuoja papildomus 30 W. Nepertraukiama „Gaming 3“ VRM grandinės išeiga siekia ~280 W.

„TweakTown“ iliustracija

Trys IR35204 PWM valdikliai valdo VCCSA, VCCIO mazgus ir operatyvios atminties VRM grandinę. „Gigabyte“ visiškai ištikima kompanijai „Infineon“, kadangi ir šiose sekcijose naudoja IR3553 MOSFET tranzistorius. Keturiems DIMM lizdams skirta pora fazių, taigi iš viso turime standartinį fazių skaičių – keturias.