„Crossbar“ su RRAM pasiruošusi sukrėsti mobilią ir SoC sistemų rinką

Mažytė Kalifonijoje įsikūrusi kompanija „Crossbar“ teigia esanti pasiruošusi tapti varžinės atminties (angl. resistive memory) gigantu. Visa to paslaptis slypi pašto ženklo dydžio luste, kuris gali pasiūlyti dvidešimt kartų didesnį spartos ir dešimt kartų didesnį ilgaamžiškumo proveržį, lyginant su dabartiniais NAND flash lustais.

Varžinės atminties (kitaip ReRAM arba RRAM) technologija mena pakankamai senus laikus. Susiję patentai buvo žinomi dar 2001-siais. Pirmoji masinei produkcijai skirta IC dienos šviesą išvydo vos praėjusiais metais, kuomet kompanijų „Elpida“ ir „Panasonic“ iniciatyva buvo pristatytas mikro kompiuteris, turintis ReRAM. Tiesa, RRAM lustų gamybos apimtys išliko itin mažomis iki pat dabar.

Varžinės atminties technologija laikoma ta technologija, kuri turėtų perimti estafetę ne tik iš tradicinių NAND flash lustų, bet ir greitos nepastovios DRAM. Kadangi RRAM priklauso  pastovios atminties tipui, ji nereikalauja nuolatinio ciklų atnaujinimo ir tokiu būdu gali pasigirti kur kas mažesnėmis elektros sąnaudomis, nei DRAM. Milžiniški efektyvumo skirtumai pasiekiami palyginus ir su NAND flash atmintimi: DRAM matrica naudoja vieną dvidešimtąją atrinkto (angl. cherry picked) NAND flash atminčiai reikllingo elektros kiekio. Lyginant su NAND flash, kuri irgi priklauso nepastovios atminties tipui, RRAM taip pat gali pasigirti žymiai išaugusia sparta. „Crossbar“ teigimu, kompanija pajėgi parengti 200 mm² ploto lustą 1TB duomenų sutalpinimui, o pažangi 3D sluoksniavimo technologija apimtis gali padidintį dar labiau.

RRAM blokas pagrįstas sluoknių principu: žemiausiame slouksnyje esantis bemetalis elektrodas suteikia pagrindą virš jo esančiam amorfiniui siliciui. Virš pastarojo diegiamas metalo priemaišų turintis elektrodas. Startavus įtampai, viduriniajame sluoksnyje susidaro siūlynės formos, kurios keičia medžiagos atsparumą.

Nors „Crossbar“ kol kas tėra pagaminusi prototipinį RRAM bloką, kompanija tikina, kad masinė produkcija – visai netoli, ir RRAM pritaikymas pirmiausiai turėtų pasirodyti mobiliuose įrenginiuose bei SoC sistemose.