4 TB iš „Samsung“ arba didžiausias 990 PRO

pSLC buferio nustatymas ir spartos ribojimai perkaitus

Kaupiklis tetuojamas su gamykliniu 0B2QJXG7 programiniu kodu. Skirtingai nei PCIe 3.0 NVMe kaupikliams Gen4 įrenginiams „Samsung“ nėra išleidusi specialių NVMe tvarkyklių.

 

„Samsung“ mums palengvina skaičiavimus, kadangi pati kompanija tiksliai nurodo pSLC buferio dydį, tačiau visvien galima pasižiūrėti, kaip atrodo rašymo eiga su AIDA64. pSLC buferis išsenka analogiškai kaip ir 1 TB 990 PRO atveju, tačiau priminsime, kad 4 TB modelyje buferis dvigubai didesnis. Nepertraukiamo rašymo kreivės grafiškai atrodo iš esmės identiškos, tačiau panašu, kad mažesnės talpos 990 PRO palaiko truputį didesnę rašymo spartą tiesiai į NAND. Skirtumas nėra didelis, ~200 MB/s, kas atsispindi galutiniuose vidurkiuose: 1 TB – ~3050 MB/s, 4 TB – 2750 MB/s.

990 PRO (4 TB)

990 PRO (1 TB)

 

10-ies minučių nepertraukiamo rašymo apkrovos neužteko kaupikliui perkaitinti. Išsekus pSLC buferiui 990 PRO drastiškai sumažino rašymo spartą ir labai išlėto pradėjo vėsti. Iki tol buvo pasiekti 77 °C.

 

Nepertraukiama skaitymo apkrova leido privesti 990 PRO aušinimą prie limitų. Vos tik buvo pasiekti  82 °C – iškart sustartavo DTG (Dynamic Thermal Guard) apsauga, kuri saugo nuo visiško perkaitimo. DTG nėra naujiena, jį turi ir senesni „Samsung“ kaupikliai, pavyzdžiui, 980 PRO. Pasiekus nustatytą ribinę temperatūrą kaupiklis tik šiek tiek sumažina savo spartą, vietoje labai agresyvaus spartos kritimo kaupikliui visiškai perkaitus. DTG mūsų atveju skaitymo spartą sumažina ~1500 MB/s, ko pakanka kaupikliui pradėti atvėsimo fazę.