Gamintojai kalba apie būsimas atminties technologijas (HBM3/DDR5)

Dabar vykstančioje „Hot Chips 28“ konferencijoje kompanijos kalba apie būsimas atminties technologijas, vienos dar tolimos, kitos jau turi pasirodymo datą..

„Samsung“ kalba apie savo patobulintą HBM variantą, kuris nemuš spartos rekordų, bet turės vieną labai teigiamą savybę – tokia atmintis bus pigi. Mažos kainos HBM bus spartesnė nei HBM1, bet greičiu nusileis HBM2 atminčiai. Eko HBM atminties vienas bokštas galės pasiūlyti apie 200 GB/s duomenų pralaidumą, palyginimui HBM2 atmintis – 256 GB/s. „Samsung“ kol kas neatskleidžia kiek pigesnė bus ekonominio tipo HBM lyginant su HBM2.

Samsung-Low-Cost-HBM

Nors realiai dar neįsibėgėjo HBM2 gamyba, bet „SK Hynix“ jau kalba apie HBM3 („Samsung“ ją vadina xHBM). Šios atminties galutinės specifikacijos dar nėra nuspręstos, bet manoma, kad vienas šios atminties bokštas generuos 512 GB/s duomenų pralaidumą. Turint galvoje, kad vaizdo plokštės gali turėti iki 4 tokių bokštų, tai ši technologija grafikos adapteriams leistų disponuoti 2 TB/s duomenų pralaidumu.  Panaudojus tokią konfigūraciją atminties talpa galėtų siekti 64 GB. Kada pasirodys HBM3 atmintis pasakyti negalime.

SK-Hynix-HBM3

„Micron“ tuo tarpu užsiminė apie DDR5 atmintį. Pirmieji tokios atminties pavyzdžiai turėtų pasirodyti 2018 metais, o masinė gamyba startuos 2019 m. Pasak „Micron“, DDR5 atminties tikslas padvigubinti duomenų pralaidumą prie 1.1 V. įtampos. Šios atminties talpa svyruos 8 – 32 GB ribose, o dažnis būtų gan aukštas, bent 3200 MHz. Vėliau, įvaldžius naujos atminties gamybą, DDR5 dažnis dar labiau didėtų.

   Micron-DDR5-DRAM

1 Komentaras

  1. Maariux parašė:

    videocardz kalba dar apie GDDR6

Parašykite komentarą

Brukalų kiekiui sumažinti šis tinklalapis naudoja Akismet. Sužinokite, kaip apdorojami Jūsų komentarų duomenys.