Dėl užterštų DRAM silicio plokščių „Samsung“ patyrė didelių nuostolių

Paaiškėjo, kad „Samsung“ DRAM gamybos padalinyje buvo užterštos DRAM silicio plokštės. Tai įvyko po to, kai „švarios patalpos“, kuriose laikomi įrankiai, naudojami gaminti DRAM lustus 200 mm silicio plokštėse, buvo užterštos. Tai lėmė, kad buvo sugadinta daug silicio plokščių, o tuo pačiu ir DRAM atminties.

„Švarios patalpos“ puslaidininkių gamyboje yra labai svarbios, nes jos apsaugo silicio gamybą nuo įvairių teršalų. Dėl to, kad „Samsung“ neišlaikė savo „švarių patalpų“ saugių buvo sugadinta DRAM silicio plokščių už keletą mlrd. Pietų Korėjos vonų. Tai būtų keletas mln. JAV dolerių.

„Samsung“ tikina, kad šis incidentas nepaveiks DRAM rinkos.

4 Komentarai

  1. adex parašė:

    tik siaip idomus faktas, jog tos ,,svarios patalpos“ yra 100 000 kartu svaresnes uz ligonines operacine

  2. Daemon parašė:

    Bėgam pirkt ramo!!!

  3. marumbas parašė:

    Tepsim ant duonos…

Parašykite komentarą

Brukalų kiekiui sumažinti šis tinklalapis naudoja Akismet. Sužinokite, kaip apdorojami Jūsų komentarų duomenys.