TSMC 10 nm FinFET lustų gamybą pradės 2016 metų pabaigoje

Taivanio puslaidininkių gamintojas (TSMC) paneigė atsiradusius gandus, kad jie nesugebės laiku pradėti 10 nm FinFET lustų gamybos. Kompanija tiki, kad gamyba pasitelkiant 10 nm FinFET litografiją startuos 2016 metų pabaigoje, o realių produktų užsakovai sulauks 2017 metų pirmame ketvirtyje.

Jeigu prognozės pasitvirtins, tai TSMC bus ne tik pasiviję „Intel“, bet ir juos aplenks, nes mėlynasis milžinas 10 nm lustų gamybos startą neseniai nukėlė į 2017 metus. Tuo tarpu TSMC dabar žada, kad fabrikai pilnu pajėgumu 10 nm FinFET lustus „keps“ jau 2016 gale, o realūs produktai pasirodys 2017 metų pirmame ketvirtyje.

Lyginant 10 nm FinFET techproceso pranašumą prieš 16 nm FinFET+, matome, kad pažangesnis gamybos metodas leis sutalpinti apie 110-120 % daugiau tranzistorių tame pačiame plote, apie 15 % didesnį dažnį suvartojant tiek pat elektros energijos arba 35 % mažesnes elektros sąnaudos esant tam pačiam dažniui.