990 EVO Plus: naujausias „Samsung“ atsakymas rinką užvaldžiusiems DRAM-less kaupikliams

Žvilgsnis į 990 EVO Plus šeimą

Vietoje to, kad „Samsung“ būtų atsisakiusi didelio vartotojo gido, šįkart jis dar įsuktas į papildomą „voką“. Visiškai pakaktų ir EQ kodo, o popierius galėtų būti taupomas.

 

990 EVO Plus (kaip ir 990 EVO) pirkėjui siūlomas vieninteliu pavidalu, t.y. be radiatoriaus, bet rinkai dabar jau pasiūlomas ir 4 TB modelis. 990 EVO maksimali talpa siekė tik 2 TB. Net ir pačios didžiausios talpos 990 EVO Plus lieka single-sided tipo, jau nekalbant apie mūsų apžvelgiamą 2 TB modelį. Ant vienos PCB pusės sutalpinti visi svarbiausi komponentai išplečia suderinamumą su ploniausiais nešiojamais kompiuteriais.

 

990 EVO Plus naudoja tą patį keturkanalį „Piccolo“ valdiklį. 2400 MT/s siekianti vidinės magistralės sparta leidžia būti vienoje lentynoje su šiai dienai labiausiai paplitusiais DRAM-less „Maxio MAP1602“ ir „Phison E27T“ valdikliais. „Piccolo“ techniškai yra Gen 5 valdiklis, tačiau be PCIe 5.0 x4 jis geba dirbti ir PCIe 4.0 x4 režimu. Abiem režimais palaikomos NVMe 2.0 gairės. Suporuotas su atitinkama NAND atmintimi šis hibridinis valdiklis sugeba maksimaliai išnaudoti minėtų magistralių pralaidumą, kurios tarpusavyje teoriniu pralaidumu nesiskiria. Pagrindinis pokytis esti NAND atmintyje. Vietoje 133 sluoksnių v6P 3D-TLC „Samsung“ panaudojo v8 kartos 3D-TLC atmintį, kuri sudaryta jau iš 236 sluoksnių, o sparta nuo 1600 MT/s padidėjusi iki 2400 MT/s. 2 TB modelis gauna vienintelį NAND lustą, 4 TB modelis turėtų du tokius. DRAM lusto 990 EVO Plus neturi.

 

Valdiklį ir vienintelį NAND lustą iš viršaus dengia apsauginis lipdukas. Kitoje 2280 formato montažinės plokštės pusėje uždėta šilumą išsklaidanti varinė plokštelė. Pats „Piccolo“ valdiklis tradiciškai padengtas nikelio danga, kuri irgi turėtų sudalyvauti palaikant žemesnę kaupiklio temperatūrą.

 

Nors v8 3D-TLC atmintis nėra ištvermingesnė (2 TB modeliui priskiriama ta pati 1,2 PB siekianti ištvermė), tačiau naujos atminties dėka padidėjo oficialiai nurodoma sparta. Sugretinus 990 EVO (2 TB) su 990 EVO Plus (2 TB) maksimalūs spartos skaičiai padidėjo atitinkamai pastarojo naudai:

• Linijinis skaitymas: 5000 MB/s -> 7250 MB/s
• Linijinis rašymas: 4200 MB/s -> 6300 MB/s
• Atsitiktinių 4 kb blokų skaitymo sparta: 700 000 IOPS -> 1 000 000 IOPS
• Atsitiktinių 4 kb blokų rašymo sparta: 800 000 IOPS -> 1 350 000 IOPS

Verta atkreipti dėmesį, jog visų trijų skirtingos talpos 990 EVO Plus kaupiklių maksimali pasiekiama sparta skiriasi labai nežymiai. Šiandien apžvelgiamas 2 TB modelis iš esmės užtikrina maksimalią teorinę spartą, kai 1 TB modelis šiek tiek daugiau nukenčia tik skaitant atsitiktinius 4 kb blokus.

 

Samsung 990 EVO Plus šeimos specifikacijos
Talpa (reali)	1 TB (1000 GB)	2 TB (2000 GB)	4 TB (4000 GB)
Formatas	M.2 2280 (80 x 22 x 2,4 mm)
Valdiklis	Samsung Piccolo
NAND atmintis	Samsung 3D TLC V-NAND v8 (236 sluoksnių)
Protokolas	NVMe 2.0
Sąsaja	PCIe 5.0 x2/ PCIe 4.0 x4
Spartinančioji DRAM atmintis	–
HMB palaikymas	+
Maksimalus linijinis skaitymas	7150 MB/s	7250 MB/s
Maksimalus linijinis rašymas	6300 MB/s
Maksimalus atsitiktinių 4 kb blokų skaitymas	850 000 IOPS	1 000 000 IOPS	1 050 000 IOPS
Maksimalus atsitiktinių 4 kb blokų rašymas	1 350 000 IOPS		1 400 000 IOPS
pSLC buferis	+
Šifravimas	AES-256, TCG Opal 2.0, Microsoft eDrive
Ištvermė	600 TB	1,2 PB	2,4 PB
DWPD reitingas	0,3
Kaina (skytech.lt)	98 €	160 €	290 €
Vieno GB kaina	0,098 €	0,08 €	0,0725 €
Garantija	5 metai (Lietuvoje 5 metai)