Pirmaisiais „Intel“ 10 nm lustais bus 3D NAND atmintis
To buvo galima tikėtis. „Intel“ savo 10 nm litografiją pirmiausia išbandys su mažiausiai rizikingais produktais – 3D NAND linijine atmintimi (non-volatile). NAND lustai, galima sakyti, susideda iš jūros tranzistorių su labai maža dalimi specialaus dizaino, ne taip, kaip procesoriai. Taigi buvo priimtas elementarus sprendimas 10 nm rizikingos gamybos fazėje viską išbandyti su 64 sluoksnių 3D NAND atmintimi. Ji daugiausia bus skirta duomenų centrams, kuriuos visada domina talpesnės duomenų laikmenos, nepaisant jų didesnės kainos. O pirmoji „Intel“ 10 nm NAND atmintis tikrai bus nepigi.
O įdomu kas gautus jei suporuoti CPU su 3D NAND. 3D NAND vietoj L1, L2 ir L3 atminties.