990 EVO Plus: naujausias „Samsung“ atsakymas rinką užvaldžiusiems DRAM-less kaupikliams

pSLC buferio nustatymas ir spartos ribojimai perkaitus

Gražiai apipavidalintas „Samsung Magician“ įrankis rodo ir aktualią informaciją, įskaitant PCIe režimą (Gen 4 x4 ar Gen 5 x2) ir ar aktyvuota HBM technologija.

Gen 5 x2                     /                      Gen 4 x4

„Samsung“ nurodo, kad 2 TB modelyje dinaminio (nuo laisvos vietos kintančio) pSLC buferio dydis siekia 216 GB, ką ir patvirtina AIDA64 rašymo testas. Išsekus pSLC buferiui į 3D-TLC (v8) NAND atmintį likusią testo dalį rašoma pastovia 1300-1400 MB/s sparta.

„Samsung“ teigimu, kartu su 990 EVO Plus jiems pavyko ~15 % sumažinti elektros sąnaudas skaitant ir ~10 % rašant tuo pačiu sumažinant kaupiklio kaitimą. Per 10 minučių trukusią nepertraukiama apkrovą (atskirai skaitymo ir rašymo) mums įrenginio perkaitinti nepavyko. Likome toli nuo DTG (Dynamic Thermal Guard) perkaitimo taško, kuris nustatytas ties 82 °C. Nors už lango ne vasaros sezonas, tačiau panašu į tai, kad 990 EVO Plus yra vėsus kaupiklis, nereikalaujantis papildomo aušinimo.