„Samsung 970 EVO Plus“: senieji 970 EVO su steroidais

970 EVO Plus šeima iš arčiau ir pokyčiai lyginant su 970 EVO

„Samsung“ nevargino savęs keičiant dėžučių dizaino – 970 EVO Plus dėžutės yra vienas prie vieno su senosiomis EVO pakuotėmės. Skirtumas tik toks, kad visur, kur buvo EVO, dabar atsirado EVO Plus. Kaip jau minėjome, šiandien testuosime du modelius: 500 GB ir 1 TB. SSD kaupiklių talpa nurodyta ant dešiniojo viršutinio įpakavimo kampo. Vidaus apsauga taip pat nepakito. Kiekvienas SSD yra paguldytas į atskirą plastikinę dėžutę.

970 EVO Plus šeimos narių skaičius vis dar tas pats, kaip ir vienintelis taikomas M.2 formatas (2280). Vartotojas gali rinktis iš keturių skirtingų talpų, nors talpiausio 2 TB modelio reikėjo kiek palaukti – jis parduotuvėse pasirodė vėliau už likusius tris mažesnius. Kaupikliuose liko tas pats aštuonių kanalų „Phoenix“ valdiklis, tačiau pasikeitė naudojamos 3D TLC V-NAND atminties struktūra. Perėjimas nuo 64 prie 96 sluoksnių pareikalavo „Samsung“ sumažinti kiekvieno sluoksnio storį 20 %, tačiau tai neturėjo neigiamų pasekmių NAND ištvermei. 970 EVO Plus SSD kaupiklių ištvermė liko identiška seniesiems 970 EVO: mažiausios talpos modelio ištvermė 150 TB, kai 2 TB modelis pasižymi 1200 TB siekiančia ištverme.

Patobulintos 3D TLC V-NAND atminties šerdžių dydis taip pat nepasikeitė. 250, 500 ir 1 TB modeliuose naudojami 256 Gbit šerdis turintys NAND lustai, ir tik 2 TB modelyje yra integruota dvigubai talpesnė NAND atmintis, čia šerdies dydis 512 Gbit. Tai leidžia „Samsung“ kompanijai visus reikiamus komponentus išdėstyti ant vienos montažinės plokštės pusės, taip pritaikant 2 TB modelį ploniausiems nešiojamiems kompiuteriams. Esminis skirtumas, kuriuo skiriasi 64 ir 96 sluoksnių 3D TLC V-NAND atmintis yra vidinė sąsaja, jungianti „Phoenix“ valdiklį su NAND lustais. Jos pralaidumas beveik padvigubėjo (800 Mb/s ->1400 Mb/s). „Samsung“ turi persvarą prieš visus kitus NAND gamintojus, artimiausią persekiotoją IMFT lenkiant 200 Mb/s. 1200 Mb/s yra „Intel“ ir „Micron“ koncerno gaminamos 3D TLC atminties (tiksliau sąsajos) spartos lubos.

Naujoji 3D TLC V-NAND atmintis leido „Samsung“ kompanijai ~0,5 V sumažinti vidinei sąsajai reikalingą įtampą, kas teigiamai atsispindi maksimaliose energijos sąnaudose. 970 EVO šeimos kaupiklių sąnaudos buvo siaurame 9 W – 10 W lange, mažiau nei 10 W naudojant tik 250 GB talpos kaupikliui. Identiškos talpos 970 EVO Plus maksimalios sąnaudos sumažėjo iki 8 W, o 10 W sugeba suvartoti tik du talpiausi (1 TB ir 2 TB) modeliai.

Kaip jau buvo galima suprasti ant montažinės plokštės esančių komponentų skaičiumi 500 GB ir 1 TB modeliai nesiskiria: Du 3D TLC V-NAND moduliai, DRAM spartinančiosios atminties lustas ir „Phoenix“ valdiklis. Jis padengtas plonu nikelio sluoksniu. Remiantis seniau išsakyta gamintojo informacija, tai leidžia sumažinti temperatūrą septyniais laipsniais pagal Celsijų. Visų komponentų paviršių dengia elementarus firminis lipdukas. Ant kitos PCB pusės, NAND ir DRAM projekcijoje, uždėta plonytė varinė filmutė, kuri padeda išsklaidyti minėtų komponentų generuojamą šilumą.

Nors apžvalgai gavome 500 GB ir 1 TB 970 EVO Plus modelius, mes lentelėje atžymime tik senąjį 500 GB talpos 970 EVO modelį, kadangi būtent jį esame testavę anksčiau. Naujoji 970 EVO Plus karta prieš pirmtakus patobulėjo visose spartos srityse. Mažiausiai paaugo linijinė skaitymo sparta, 970 EVO Plus prideda vos 100 MB/s ir „užstringa“ ties 3500 MB/s. Tačiau maksimali atsitiktinių 4 kb blokų skaitymo sparta padidėja kur kas labiau. Lyginant 500 GB modelius turime padididėjimą nuo 370 000 IOPS iki 480 000 IOPS. 970 EVO šeimos lubos yra 500 000 IOPS. Tokią spartą išvysto 1 TB ir 2 TB 970 EVO modeliai, kai terabaitinis 970 EVO Plus pasiekia 600 000 IOPS, o 2 TB modelis netgi priskaičiuoja 620 000 IOPS.

 

Samsung 970 EVO Plus šeimos specifikacijos Samsung 970 EVO
Talpa 250 GB 500 GB 1 TB 2 TB 500 GB
Formatas M.2 2280
Valdiklis Samsung Phoenix
NAND atmintis Samsung 4th gen 3D TLC V-NAND (256/512 Gbit, 96 sluoksniai) Samsung 4th gen 3D TLC V-NAND (256/ 512 Gbit, 64 sluoksniai)
Sąsaja PCIe 3.0 x4
Protokolas NVMe 1.3
Spartinančioji DRAM atmintis 512 MB LPDDR4 512 MB LPDDR4 1024 MB LPDDR4 2048 MB LPDDR4 512 MB LPDDR4
Maksimalus linijinis skaitymas 3500 MB/s 3500 3500 3500 3400 MB/s
Maksimalus linijinis rašymas su TurboWrite 2300 MB/s 3200 3300 3300 2300 MB/s
Maksimalus linijinis rašymas be TurboWrite 400 MB/s 900 MB/s 1700 1750 ? 600 MB/s
Maksimalus atsitiktinių 4 kb blokų skaitymas 250 000 IOPS 480 000 IOPS 600 000 620 000 370 000 IOPS
Maksimalus atsitiktinių 4 kb blokų rašymas 550 000 IOPS 550 000 550 000 560 000 450 000 IOPS
Fiksuotas pSLC kešas 4 GB 4 GB 6 GB 6 4 GB
Dinaminis pSLC kešas
9 GB 18 GB 36 GB 72 18 GB
Bendras pSLC kešas
13 GB 22 GB 42 GB 78 22 GB
Šifravimas AES 256, IEEE-1667, TCG Opal 2.0, Windows eDrive
Maksimalios energijos sąnaudos
8 W 9 W 9 W 10 W 10 W
Ištvermė 150 TB 300 TB 600 TB 1200 300 TB
DWPD reitingas 0,3
Garantinis aptarnavimas Lietuvoje 5 metai

Kalbėdami apie linijinės rašymo spartos pokyčius pasinaudokime antraja lentele. „Samsung“ nekeitė pSLC buferių dydžių, palikdami 4 GB statinę talpą 250 ir 500 GB modeliams ir 6 GB talpos statinį buferį didesnės talpos 970 EVO Plus kaupikliams. Dinaminių pSLC buferių talpa varijuoja nuo 9 GB (250 GB modelis) iki 72 GB (2 TB modelis). Reali dinaminio pSLC buferio talpa priklauso nuo to, kiek laisvos vietos yra likę SSD kaupiklyje. Nors pSLC buferių dydžiai visiškai nepasikeitė, tačiau naujos kartos 3D TLC V-NAND atmintis padidino linijinę rašymo spartą tiek esant aktyvuotai TurboWrite technologijai, tiek pSLC buferiui išsekus. Pirmu atveju 500 GB talpos 970 EVO Plus paspartėjo nuo 2300 MB/s iki 3200 MB/s, tuo pačiu pranokstant netgi didžiausios talpos (2 TB) 970 EVO. 250 GB talpos 970 EVO Plus linijinė rašymo sparta padidėjo visais 1000 MB/s (1300 MB/s -> 2300 MB/s), o absoliučiai pikinė 970 EVO Plus šeimos rašymo sparta dabar atsiremia į 3300 MB/s. TurboWrite technologijai tapus nebeaktyviai, kas įvyksta išsekus pSLC buferiui, rašymo pajėgumas stipriai krenta, bet, priklausomai nuo modelio, 970 EVO Plus geba rašyti sparčiau: 250 GB modelio sparta padidėjo nuo 300 MB/s iki 400 MB/s, 500 GB modelio nuo 600 MB/s iki 900 MB/s, o 1 TB modelio nuo 1200 MB/s iki 1700 MB/s. Šiomis sąlygomis 1 TB 970 EVO Plus dabar rašo greičiau už dvigubai talpesnį 970 EVO (1700 MB/s prieš 1250 MB/s).

Samsung 970 EVO ir 970 EVO Plus pSLC/rašymo spartos palyginimas
Talpa 250 GB 500 GB 1 TB 2 TB
Fiksuotas pSLC buferis 970 EVO – 4 GB

970 EVO Plus – 4 GB

970 EVO – 4 GB

970 EVO Plus – 4 GB

970 EVO – 6 GB

970 EVO Plus – 6 GB

970 EVO – 6 GB

970 EVO Plus – 6 GB

Dinaminis pSLC buferis 970 EVO – 9 GB

970 EVO Plus – 9 GB

970 EVO – 18 GB

970 EVO Plus – 18 GB

970 EVO – 36 GB

970 EVO Plus – 36 GB

970 EVO – 72 GB

970 EVO Plus – 72 GB

Bendras pSLC buferis 970 EVO – 13 GB

970 EVO Plus – 13 GB

970 EVO – 22 GB

970 EVO Plus – 22 GB

970 EVO – 42 GB

970 EVO Plus – 42 GB

970 EVO – 78 GB

970 EVO Plus – 78 GB

Maksimalus linijinis rašymas su TurboWrite 970 EVO – 1300 MB/s

970 EVO Plus – 2300 MB/s

970 EVO – 2300 MB/s

970 EVO Plus – 3200 MB/s

970 EVO – 2500 MB/s

970 EVO Plus – 3300 MB/s

970 EVO – 2500 MB/s

970 EVO Plus – 3300 MB/s

Maksimalus linijinis rašymas be TurboWrite 970 EVO – 300 MB/s

970 EVO Plus – 400 MB/s

970 EVO – 600 MB/s

970 EVO Plus – 900 MB/s

970 EVO – 1200 MB/s

970 EVO Plus – 1700 MB/s

970 EVO – 1250 MB/s

970 EVO Plus – 1750 MB/s

18 Komentarai

  1. EgidijusL parašė:

    Klausimas ar kas samsungui įkas, jei kas pasivys, ištrauks iš stalčiaus kokią naujieną. O nėra planų Force Series MP510 ištestuoti?

  2. newdiamond parašė:

    o tais 50 proc maziau SSD, cia ka tureta galvoje.
    DRAM less kokie SSD ar kaip ?
    Atitrukes truputi nuo sios srities

  3. Povilas parašė:

    MP510 turi phison E12, tai praktiskai dauguma ssd su E12 yra panasaus greicio, as rinkausi tarp phison ir SM2262EN, nors ir E12 turi kur kas didesni endurance, bet rinkausi sparta, nes mano naudojime, endurance ilgam uzteks, beto SM ne taip kaista.

  4. vanduo4 parašė:

    Trumpai sakant, EVO + sudarytas iš daugiau sluoksnių, lygiai kaip naujos AMD GPU ir CPU su 8nm (lyginant su Nvidia 14nm) technologija sutalpina daugiau diodų.
    Labai jau sudėtingas straipsnis. Kam į tiksliuosius mokslus kišti romantiką?
    „Samsung“ nevargino savęs keičiant dėžučių dizaino“ – nu kam ta dėžutė? Ir apskritai kam apie tai rašyti? Nėra laiko skaityti visus tuos marazmus. Dar gerai, kad išvadų skyrelis yra. Tikras išsigelbėjimas.

    • BC00 parašė:

      Romantika tam, kad būtų įdomiau skaityti, bet negalime sau leisti neparašyti apie dėžutę bent sakinio, kai kiti sugeba apie įpakavimus trečdalį review prakalbėt. Tokio tipo review gaunasi mirtinai nesudėtingas, galbūt kažkam ir prieš širdies.

  5. Teftilijus parašė:

    Čia gal truputi OffTopic, bet kas geriau paprastam vartotojui SSD ar tie nauji NVME? Visiškai esu atsilikęs šiose naujienose

Parašykite komentarą

Brukalų kiekiui sumažinti šis tinklalapis naudoja Akismet. Sužinokite, kaip apdorojami Jūsų komentarų duomenys.